TIPO | DESCRIPCIÓN |
---|---|
Categoría | FET, MOSFET |
Fabricante | Diodes Incorporated |
Serie | - |
Estado del producto | Activo |
Paquete | Cinta y rollo (TR) |
Embalaje / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Tipo de instalación | Instalación de superficie |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Type | P-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35mA (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80Ohm @ 50mA, 10V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Paquetes de equipos de proveedores | SOT-23-3 |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 25 V |
ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
---|---|
Estado de RoHS | ROHS3 Compliant |
Nivel de detección de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado CUMPLIDO | Reach unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.21.0095 |
CANTIDAD | PRECIO POR UNIDAD | PRECIO EXT. |
---|---|---|
3000 | $0.19851 | $595.53 |
6000 | $0.1857 | $1114.2 |
15000 | $0.17289 | $2593.35 |
30000 | $0.16393 | $4917.9 |
Número mínimo de pedidos:3000 |