TIPO | DESCRIPCIÓN |
---|---|
Categoría | FET, MOSFET |
Fabricante | EPC |
Serie | eGaN® |
Estado del producto | Activo |
Paquete | Cinta y rollo (TR) |
Embalaje / Caja | Die |
Tipo de instalación | Instalación de superficie |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6A, 5V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | - |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1.2mA |
Paquetes de equipos de proveedores | Die |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Vgs (Max) | +6V, -4V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2 nC @ 5 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220 pF @ 50 V |
ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
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Estado de RoHS | ROHS3 Compliant |
Nivel de detección de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado CUMPLIDO | Reach unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0040 |
CANTIDAD | PRECIO POR UNIDAD | PRECIO EXT. |
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2500 | $0.94082 | $2352.05 |
5000 | $0.90597 | $4529.85 |
Número mínimo de pedidos:2500 |