| TIPO | DESCRIPCIÓN |
|---|---|
| Categoría | FET, MOSFET |
| Fabricante | EPC |
| Serie | eGaN® |
| Estado del producto | Activo |
| Paquete | Cinta y rollo (TR) |
| Embalaje / Caja | Die |
| Tipo de instalación | Instalación de superficie |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | N-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 30A, 5V |
| FET Feature | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 15mA |
| Paquetes de equipos de proveedores | Die |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 300 V |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 Compliant |
| Nivel de detección de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado CUMPLIDO | Reach unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0040 |
| CANTIDAD | PRECIO POR UNIDAD | PRECIO EXT. |
|---|---|---|
| 500 | $4.14858 | $2074.29 |
| 1000 | $3.61328 | $3613.28 |
| 2500 | $3.47945 | $8698.625 |
| Número mínimo de pedidos：500 | ||
