| TIPO | DESCRIPCIÓN |
|---|---|
| Categoría | FET, MOSFET |
| Fabricante | EPC |
| Serie | eGaN® |
| Estado del producto | Activo |
| Paquete | Cinta y rollo (TR) |
| Embalaje / Caja | Die |
| Tipo de instalación | Instalación de superficie |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | N-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 25A, 5V |
| FET Feature | Standard |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| Paquetes de equipos de proveedores | Die |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.2 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1449 pF @ 40 V |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 Compliant |
| Nivel de detección de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado CUMPLIDO | Reach unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0040 |
| CANTIDAD | PRECIO POR UNIDAD | PRECIO EXT. |
|---|---|---|
| 1000 | $1.66044 | $1660.44 |
| 2000 | $1.56348 | $3126.96 |
| 5000 | $1.5 | $7500 |
| Número mínimo de pedidos：1000 | ||
