TIPO | DESCRIPCIÓN |
---|---|
Categoría | FET, MOSFET |
Fabricante | EPC |
Serie | eGaN® |
Estado del producto | Activo |
Paquete | Cinta y rollo (TR) |
Embalaje / Caja | Die |
Tipo de instalación | Instalación de superficie |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 50A, 5V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | - |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 28mA |
Paquetes de equipos de proveedores | Die |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Vgs (Max) | +6V, -4V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 5 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4523 pF @ 20 V |
ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
---|---|
Estado de RoHS | ROHS3 Compliant |
Nivel de detección de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado CUMPLIDO | Reach unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0040 |
CANTIDAD | PRECIO POR UNIDAD | PRECIO EXT. |
---|---|---|
1000 | $3.40875 | $3408.75 |
2000 | $3.19413 | $6388.26 |
Número mínimo de pedidos:1000 |