| TIPO | DESCRIPCIÓN |
|---|---|
| Categoría | FET, MOSFET |
| Fabricante | EPC |
| Serie | eGaN® |
| Estado del producto | Activo |
| Paquete | Cinta y rollo (TR) |
| Embalaje / Caja | Die |
| Tipo de instalación | Instalación de superficie |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Power - Max | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 50V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2A, 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.73nC @ 5V |
| FET Feature | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
| Paquetes de equipos de proveedores | Die |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 Compliant |
| Nivel de detección de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado CUMPLIDO | Reach unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0040 |
| CANTIDAD | PRECIO POR UNIDAD | PRECIO EXT. |
|---|---|---|
| 2500 | $0.76356 | $1908.9 |
| 5000 | $0.73528 | $3676.4 |
| 12500 | $0.707 | $8837.5 |
| Número mínimo de pedidos：2500 | ||
