| TIPO | DESCRIPCIÓN |
|---|---|
| Categoría | FET simple, MOSFET |
| Fabricante | Microchip Technology |
| Serie | POWER MOS 8™ |
| Estado del producto | Activo |
| Paquete | Tubo |
| Embalaje / Caja | TO-247-3 |
| Tipo de instalación | Through Hole |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Type | N-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 21A, 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 625W (Tc) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Paquetes de equipos de proveedores | TO-247 [B] |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6810 pF @ 25 V |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
|---|---|
| Estado de RoHS | ROHS3 Compliant |
| Nivel de detección de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado CUMPLIDO | Reach unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| CANTIDAD | PRECIO POR UNIDAD | PRECIO EXT. |
|---|---|---|
| 1 | $10.14 | $10.14 |
| 100 | $8.2375 | $823.75 |
| Número mínimo de pedidos：1 | ||
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