TIPO | DESCRIPCIÓN |
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Categoría | FET simple, MOSFET |
Fabricante | Microchip Technology |
Serie | - |
Estado del producto | Activo |
Paquete | Tubo |
Embalaje / Caja | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Tipo de instalación | Instalación de superficie |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225mOhm @ 8A, 20V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.26V @ 500µA |
Paquetes de equipos de proveedores | TO-268 |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Vgs (Max) | +23V, -10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 20 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 1000 V |
ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
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Estado de RoHS | unknown |
Nivel de detección de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado CUMPLIDO | Reach unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
CANTIDAD | PRECIO POR UNIDAD | PRECIO EXT. |
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1 | $9.62 | $9.62 |
25 | $8.88 | $222 |
100 | $7.73 | $773 |
Número mínimo de pedidos:1 |