TIPO | DESCRIPCIÓN |
---|---|
Categoría | FET, MOSFET |
Fabricante | Rohm Semiconductor |
Serie | - |
Estado del producto | Activo |
Paquete | Cinta y rollo (TR) |
Embalaje / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Tipo de instalación | Instalación de superficie |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Paquetes de equipos de proveedores | SST3 |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25 pF @ 10 V |
ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
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Estado de RoHS | ROHS3 Compliant |
Nivel de detección de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado CUMPLIDO | Reach unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.21.0095 |
CANTIDAD | PRECIO POR UNIDAD | PRECIO EXT. |
---|---|---|
3000 | $0.05343 | $160.29 |
6000 | $0.04646 | $278.76 |
15000 | $0.03949 | $592.35 |
30000 | $0.03717 | $1115.1 |
75000 | $0.03485 | $2613.75 |
150000 | $0.0302 | $4530 |
Número mínimo de pedidos:3000 |