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IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) es un dispositivo Semiconductor multicapa con tres terminales que puede procesar alta corriente y tener una función de conmutación rápida. Se caracterizan por el tipo, el voltaje de ruptura del emisor del coleccionista, la corriente del coleccionista, la corriente del coleccionista de pulsos, el VCE (on), la energía del interruptor y la carga de la puerta.

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