TIPO | DESCRIPCIÓN |
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Categoría | JFET |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | - |
Estado del producto | Activo |
Paquete | Cinta y rollo (TR) |
Embalaje / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Tipo de instalación | Instalación de superficie |
Temperatura de funcionamiento | 125°C (TJ) |
FET Type | N-Channel |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 10V |
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 50 V |
Current Drain (Id) - Max | 14 mA |
Paquetes de equipos de proveedores | SC-59 |
Power - Max | 150 mW |
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 1.5 V @ 100 nA |
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 14 mA @ 10 V |
ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
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Estado de RoHS | RoHS Compliant |
Nivel de detección de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado CUMPLIDO | Reach unknown |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.21.0095 |
CANTIDAD | PRECIO POR UNIDAD | PRECIO EXT. |
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3000 | $0.14302 | $429.06 |
6000 | $0.13574 | $814.44 |
9000 | $0.12605 | $1134.45 |
30000 | $0.12314 | $3694.2 |
75000 | $0.12 | $9000 |
Número mínimo de pedidos:3000 |