JFET - Distribuidores de componentes electrónicos

Fabricación

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics America Inc

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Productos característicos

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Número de pieza	Fabricante	Descripción	Inventario	Cantidad	Paquete	Estatus	Detalles
MMBF4416A	onsemi	JFET N-CH 35V 15MA SOT23	69000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalles
MMBF4393LT1G	onsemi	JFET N-CH 30V SOT23-3	35500	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalles
MMBFJ113	onsemi	JFET N-CH 35V SOT23-3	6000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalles
MMBFJ177LT1G	onsemi	JFET P-CH 30V SOT23-3	3000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalles
MMBFJ175LT1G	onsemi	JFET P-CH 30V SOT23-3	48000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalles
MMBFU310LT1G	onsemi	JFET N-CH 25V SOT23-3	12000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalles
MMBFJ111	onsemi	JFET N-CH 35V SOT23-3	21000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalles
2SK209-BL(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 50V 14MA SC59	93000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalles
MMBFJ270	onsemi	JFET P-CH 30V SOT23-3	6000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalles
MMBFJ176	onsemi	JFET P-CH 30V SOT23-3	28990	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalles
MMBFJ201	onsemi	JFET N-CH 40V SOT23-3	15623	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalles
MMBFJ108	onsemi	JFET N-CH 25V SOT23-3	18000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalles

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JFET

El Transistor de efecto de campo de puerta de Unión (jfet) es un dispositivo utilizado como interruptor de control electrónico, amplificador o resistencia de control de voltaje. La diferencia de potencial eléctrico aplicada a una polaridad adecuada entre la puerta y el terminal de la fuente aumenta la resistencia al flujo de corriente, lo que significa que menos corriente fluirá entre el terminal de la fuente y el drenaje. Debido a que la carga eléctrica fluye a través del canal Semiconductor entre la fuente y el terminal de drenaje, JFET no necesita corriente de sesgo.