JFET - Fairchild Semiconductor - Distribuidores de componentes electrónicos

Fabricación

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics America Inc

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Productos característicos

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Número de pieza	Fabricante	Descripción	Inventario	Cantidad	Paquete	Estatus	Detalles
FJX597JHTF	Fairchild Semiconductor	JFET N-CH 20V 1MA SC70-3	27997	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles
FJZ594JBTF	Fairchild Semiconductor	JFET N-CH 20V 1MA SOT623F	687000	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles
FJZ594JCTF	Fairchild Semiconductor	JFET N-CH 20V 1MA SOT623F	1271060	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles
PF53012	Fairchild Semiconductor	JFET N-CH 30V TO92-3	6580	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles
PN4118	Fairchild Semiconductor	JFET N-CH 40V TO92-3	7826	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles
J175	Fairchild Semiconductor	JFET P-CH 30V TO92-3	8793	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles
PN5434	Fairchild Semiconductor	JFET N-CH 25V TO92-3	2558	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles
2N5247	Fairchild Semiconductor	JFET N-CH 30V TO92	7000	RFQ	Bulk	Active	Detalles
J270	Fairchild Semiconductor	JFET P-CH 30V TO92-3	30404	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles
PN4093	Fairchild Semiconductor	JFET N-CH 40V TO92-3	6175	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles
2N5639	Fairchild Semiconductor	JFET N-CH 35V TO92	21885	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles
2N5246	Fairchild Semiconductor	SMALL SIGNAL FET	26973	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles

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JFET

El Transistor de efecto de campo de puerta de Unión (jfet) es un dispositivo utilizado como interruptor de control electrónico, amplificador o resistencia de control de voltaje. La diferencia de potencial eléctrico aplicada a una polaridad adecuada entre la puerta y el terminal de la fuente aumenta la resistencia al flujo de corriente, lo que significa que menos corriente fluirá entre el terminal de la fuente y el drenaje. Debido a que la carga eléctrica fluye a través del canal Semiconductor entre la fuente y el terminal de drenaje, JFET no necesita corriente de sesgo.