JFET - InterFET - Distribuidores de componentes electrónicos

Fabricación

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics America Inc

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Productos característicos

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Número de pieza	Fabricante	Descripción	Inventario	Cantidad	Paquete	Estatus	Detalles
IF170DST3TR	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Noise	30000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalles
IF170AST3TR	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Noise	30000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalles
IF170BST3TR	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Noise	3000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalles
IF170CST3TR	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Noise	3000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalles
IF4500ST3TR	InterFET	JFET N-Channel -20V Low Noise	3000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalles
IF170BST3	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Noise	1000	RFQ	Strip	Active	Detalles
IF170CST3	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Noise	1000	RFQ	Strip	Active	Detalles
IF170DST3	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Noise	1000	RFQ	Strip	Active	Detalles
IF170AST3	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Noise	1000	RFQ	Strip	Active	Detalles
IF4500ST3	InterFET	JFET N-Channel -20V Low Noise	1000	RFQ	Strip	Active	Detalles
IFN201ST3TR	InterFET	JFET N-Channel -40V Low Ciss	3000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalles
IFN201AST3TR	InterFET	JFET N-Channel -40V Low Ciss	3000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalles

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JFET

El Transistor de efecto de campo de puerta de Unión (jfet) es un dispositivo utilizado como interruptor de control electrónico, amplificador o resistencia de control de voltaje. La diferencia de potencial eléctrico aplicada a una polaridad adecuada entre la puerta y el terminal de la fuente aumenta la resistencia al flujo de corriente, lo que significa que menos corriente fluirá entre el terminal de la fuente y el drenaje. Debido a que la carga eléctrica fluye a través del canal Semiconductor entre la fuente y el terminal de drenaje, JFET no necesita corriente de sesgo.