JFET - Vishay Siliconix - Distribuidores de componentes electrónicos

Fabricación

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics America Inc

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Productos característicos

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Número de pieza	Fabricante	Descripción	Inventario	Cantidad	Paquete	Estatus	Detalles
2N4117A	Vishay Siliconix	JFET N-CH 40V TO206AF	3947	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles
2N4117A-2	Vishay Siliconix	JFET N-CH 40V TO206AF	2758	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles
2N4117A-E3	Vishay Siliconix	JFET N-CH 40V TO206AF	1908	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles
2N4118A	Vishay Siliconix	JFET N-CH 40V TO206AF	6484	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles
2N4118A-2	Vishay Siliconix	JFET N-CH 40V TO206AF	5113	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles
2N4118A-E3	Vishay Siliconix	JFET N-CH 40V TO206AF	6448	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles
2N4119A	Vishay Siliconix	JFET N-CH 40V TO206AF	6787	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles
2N4119A-2	Vishay Siliconix	JFET N-CH 40V TO206AF	9134	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles
2N4119A-E3	Vishay Siliconix	JFET N-CH 40V TO206AF	6582	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles
2N4338	Vishay Siliconix	JFET N-CH 50V TO206AA	7423	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles
2N4338-2	Vishay Siliconix	JFET N-CH 50V TO206AA	4851	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles
2N4338-E3	Vishay Siliconix	JFET N-CH 50V TO206AA	8967	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles

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JFET

El Transistor de efecto de campo de puerta de Unión (jfet) es un dispositivo utilizado como interruptor de control electrónico, amplificador o resistencia de control de voltaje. La diferencia de potencial eléctrico aplicada a una polaridad adecuada entre la puerta y el terminal de la fuente aumenta la resistencia al flujo de corriente, lo que significa que menos corriente fluirá entre el terminal de la fuente y el drenaje. Debido a que la carga eléctrica fluye a través del canal Semiconductor entre la fuente y el terminal de drenaje, JFET no necesita corriente de sesgo.