JFET - NXP USA Inc. - Distribuidores de componentes electrónicos

Fabricación

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics America Inc

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Productos característicos

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Número de pieza	Fabricante	Descripción	Inventario	Cantidad	Paquete	Estatus	Detalles
BF556C,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 30V 18MA SOT23	2379	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Detalles
J111,126	NXP USA Inc.	JFET N-CH 40V TO92-3	6000	RFQ	Bulk	Obsolete	Detalles
J111,126	NXP USA Inc.	JFET N-CH 40V TO92-3	7550	RFQ	Tape & Box (TB)	Obsolete	Detalles
PMBFJ308,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 25V SOT23	4817	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Detalles
BFT46,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 10MA SOT23	7043	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Detalles
BF861C,215	NXP USA Inc.	RF MOSFET N-CH JFET TO236AB	5969	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Detalles
BFR30,235	NXP USA Inc.	JFET N-CH 10MA SOT23	5205	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Detalles
BFR30,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 10MA SOT23	5762	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Detalles
BF513,215	NXP USA Inc.	RF MOSFET N-CH JFET 10V TO236AB	3906	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Detalles
BF556A,235	NXP USA Inc.	JFET N-CH 30V 7MA SOT23	4606	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Detalles
BF556A,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 30V 7MA SOT23	7939	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Detalles
PMBFJ111,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 40V SOT23	7767	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Detalles

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JFET

El Transistor de efecto de campo de puerta de Unión (jfet) es un dispositivo utilizado como interruptor de control electrónico, amplificador o resistencia de control de voltaje. La diferencia de potencial eléctrico aplicada a una polaridad adecuada entre la puerta y el terminal de la fuente aumenta la resistencia al flujo de corriente, lo que significa que menos corriente fluirá entre el terminal de la fuente y el drenaje. Debido a que la carga eléctrica fluye a través del canal Semiconductor entre la fuente y el terminal de drenaje, JFET no necesita corriente de sesgo.