Productos característicos
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Número de pieza Fabricante Descripción Inventario Cantidad Paquete Estatus Detalles
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH 50V 14MA SC59 93000 RFQ Tape & Reel (TR) Active Detalles
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH USV 66000 RFQ Tape & Reel (TR) Active Detalles
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI 21000 RFQ Tape & Reel (TR) Active Detalles
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH 0.1W USM 21000 RFQ Tape & Reel (TR) Active Detalles
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH USM 9000 RFQ Tape & Reel (TR) Active Detalles
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH 50V 14MA SC59 15000 RFQ Tape & Reel (TR) Active Detalles
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH 50V 14MA SC59 3000 RFQ Tape & Reel (TR) Active Detalles
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH 50V SC70 9000 RFQ Tape & Reel (TR) Active Detalles
Toshiba Semiconductor and Storage JFET 2N-CH SMV 15000 RFQ Tape & Reel (TR) Active Detalles
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH 50V 6.5MA SC59 3000 RFQ Tape & Reel (TR) Active Detalles
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH 50V USM 39000 RFQ Tape & Reel (TR) Active Detalles
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI 1304 RFQ Tape & Reel (TR) Active Detalles
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JFET
JFET
El Transistor de efecto de campo de puerta de Unión (jfet) es un dispositivo utilizado como interruptor de control electrónico, amplificador o resistencia de control de voltaje. La diferencia de potencial eléctrico aplicada a una polaridad adecuada entre la puerta y el terminal de la fuente aumenta la resistencia al flujo de corriente, lo que significa que menos corriente fluirá entre el terminal de la fuente y el drenaje. Debido a que la carga eléctrica fluye a través del canal Semiconductor entre la fuente y el terminal de drenaje, JFET no necesita corriente de sesgo.

RFQ
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Lista de RFQ