JFET - National Semiconductor - Distribuidores de componentes electrónicos

Fabricación

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics America Inc

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Productos característicos

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Número de pieza	Fabricante	Descripción	Inventario	Cantidad	Paquete	Estatus	Detalles
TL082CMX	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	6335	RFQ	Bulk	Active	Detalles
TL082CM	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	7240	RFQ	Bulk	Active	Detalles
LF353MX	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	23269	RFQ	Bulk	Active	Detalles
LF451CM	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	3450	RFQ	Tube	Obsolete	Detalles
LF347N/PB	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14DIP	3502	RFQ	Tube	Obsolete	Detalles
LF356BH/NOPB	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT TO99-8	2048	RFQ	Bulk	Active	Detalles
UA774APC	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14CDIP	5534	RFQ	Bulk	Active	Detalles
UA774BDM	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14CDIP	4981	RFQ	Bulk	Active	Detalles
LF442ACN	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8DIP	9819	RFQ	Bulk	Active	Detalles
LF444CM-NS	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SOIC	7097	RFQ	Bulk	Active	Detalles
LF411CH	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT TO99-8	5613	RFQ	Bulk	Active	Detalles
LF356BMX	National Semiconductor	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	4519	RFQ	Bulk	Active	Detalles

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JFET

El Transistor de efecto de campo de puerta de Unión (jfet) es un dispositivo utilizado como interruptor de control electrónico, amplificador o resistencia de control de voltaje. La diferencia de potencial eléctrico aplicada a una polaridad adecuada entre la puerta y el terminal de la fuente aumenta la resistencia al flujo de corriente, lo que significa que menos corriente fluirá entre el terminal de la fuente y el drenaje. Debido a que la carga eléctrica fluye a través del canal Semiconductor entre la fuente y el terminal de drenaje, JFET no necesita corriente de sesgo.