JFET - Microchip Technology - Distribuidores de componentes electrónicos

Fabricación

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics America Inc

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Productos característicos

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Número de pieza	Fabricante	Descripción	Inventario	Cantidad	Paquete	Estatus	Detalles
2N3823	Microchip Technology	JFET N-CH 30V TO72	7870	RFQ	Bulk	Active	Detalles
2N4416A	Microchip Technology	JFET N-CH 35V TO72	4512	RFQ	Bulk	Active	Detalles
MQ2N4091	Microchip Technology	JFET N-CH 40V TO18	3600	RFQ	Bulk	Active	Detalles
MQ2N4092	Microchip Technology	JFET N-CH 40V TO18	8758	RFQ	Bulk	Active	Detalles
MV2N5114	Microchip Technology	JFET P-CH 30V TO18	5517	RFQ	Bulk	Active	Detalles
MX2N5116	Microchip Technology	JFET P-CH 30V TO18	3770	RFQ	Bulk	Active	Detalles
MX2N5115	Microchip Technology	JFET P-CH 30V TO18	5176	RFQ	Bulk	Active	Detalles
MX2N4856UB	Microchip Technology	JFET N-CH	5405	RFQ	Bulk	Active	Detalles
MX2N4857UB	Microchip Technology	JFET N-CH	4887	RFQ	Bulk	Active	Detalles
MX2N4858UB	Microchip Technology	JFET N-CH	6642	RFQ	Bulk	Active	Detalles
MX2N4860UB	Microchip Technology	JFET N-CH	2344	RFQ	Bulk	Active	Detalles
MX2N4859UB	Microchip Technology	JFET N-CH	1898	RFQ	Bulk	Active	Detalles

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JFET

El Transistor de efecto de campo de puerta de Unión (jfet) es un dispositivo utilizado como interruptor de control electrónico, amplificador o resistencia de control de voltaje. La diferencia de potencial eléctrico aplicada a una polaridad adecuada entre la puerta y el terminal de la fuente aumenta la resistencia al flujo de corriente, lo que significa que menos corriente fluirá entre el terminal de la fuente y el drenaje. Debido a que la carga eléctrica fluye a través del canal Semiconductor entre la fuente y el terminal de drenaje, JFET no necesita corriente de sesgo.