JFET - Qorvo - Distribuidores de componentes electrónicos

Fabricación

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics America Inc

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Productos característicos

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Número de pieza	Fabricante	Descripción	Inventario	Cantidad	Paquete	Estatus	Detalles
UF3N170400B7S	Qorvo	JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7	4000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Detalles
UJ3N120035K3S	Qorvo	JFET N-CH 1200V 63A TO247-3	1158	RFQ	Tube	Active	Detalles
UJ3N120070K3S	Qorvo	JFET N-CH 1200V 33.5A TO247-3	5232	RFQ	Tube	Active	Detalles
UJ3N120065K3S	Qorvo	JFET N-CH 1.2KV 34A TO247-3	1967	RFQ	Tube	Active	Detalles
UJ3N065080K3S	Qorvo	JFET N-CH 650V 32A TO247-3	8457	RFQ	Tube	Active	Detalles
UJ3N065025K3S	Qorvo	JFET N-CH 650V 85A TO247-3	3352	RFQ	Tube	Active	Detalles

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JFET

El Transistor de efecto de campo de puerta de Unión (jfet) es un dispositivo utilizado como interruptor de control electrónico, amplificador o resistencia de control de voltaje. La diferencia de potencial eléctrico aplicada a una polaridad adecuada entre la puerta y el terminal de la fuente aumenta la resistencia al flujo de corriente, lo que significa que menos corriente fluirá entre el terminal de la fuente y el drenaje. Debido a que la carga eléctrica fluye a través del canal Semiconductor entre la fuente y el terminal de drenaje, JFET no necesita corriente de sesgo.