JFET - Harris Corporation - Distribuidores de componentes electrónicos

Fabricación

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics America Inc

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Productos característicos

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Número de pieza	Fabricante	Descripción	Inventario	Cantidad	Paquete	Estatus	Detalles
3N187	Harris Corporation	JFET N-CH 6.5V TO72	1145	RFQ	Bulk	Active	Detalles
2N3955A	Harris Corporation	JFET 2N-CH 50V TO71	7617	RFQ	Bulk	Active	Detalles
HA7-5180-8	Harris Corporation	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8CERDIP	3691	RFQ	Bulk	Active	Detalles
HA2-5180-8	Harris Corporation	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT TO99-8	8833	RFQ	Bulk	Active	Detalles
JM38510/11106BDC	Harris Corporation	SPDT HIGH-SPEED DRIVER WITH JFET	7658	RFQ	Bulk	Active	Detalles
2N5362	Harris Corporation	JFET N-CH 40V TO72-4	7424	RFQ	Bulk	Active	Detalles
HA2-5170-2	Harris Corporation	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT TO99-8	2362	RFQ	Bulk	Active	Detalles
HA2-5180-2	Harris Corporation	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT TO99-8	1682	RFQ	Bulk	Active	Detalles
HA2-5160-2S2540	Harris Corporation	100MHZ, JFET INPUT, HIGH SLEW RA	3026	RFQ	Bulk	Active	Detalles

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JFET

El Transistor de efecto de campo de puerta de Unión (jfet) es un dispositivo utilizado como interruptor de control electrónico, amplificador o resistencia de control de voltaje. La diferencia de potencial eléctrico aplicada a una polaridad adecuada entre la puerta y el terminal de la fuente aumenta la resistencia al flujo de corriente, lo que significa que menos corriente fluirá entre el terminal de la fuente y el drenaje. Debido a que la carga eléctrica fluye a través del canal Semiconductor entre la fuente y el terminal de drenaje, JFET no necesita corriente de sesgo.